【48812】晶讯自研B41全频段FBAR滤波器推出选用独家的单晶薄膜电极技能

来源：资讯文档    发布时间：2024-05-30 07:26:57

  前端模组和衔接性的影响-2019版》陈述猜测，移动电子设备及WiFi衔接部分全体射频前端商场规模将从2017年150亿美元增加到2023年350亿美元，年复合增加率到达14%。其间作为射频前端最大商场的滤波器从2017-2023年将增加3倍左右，复合增加率到达19%。而现在射频滤波器

  据晶讯介绍，本次推出的FBAR滤波器创始的单晶掺杂压电资料和单晶薄膜电极技能，可从头界说FBAR谐振器和滤波器功能，一起立异性创造一种全新的低成本晶圆级Bump-on-Via WLP封装技能。选用上述技能规划出产的SC-FBAR滤波器在支撑高功率的一起能够缩小封装尺度，具有职业最薄的WLP封装、大带宽、高带外按捺以及低插损等优异功能。B41、B40滤波器均不需求额定的外部匹配。

  此外，晶讯泄漏将于2020年Q3发布高功能5G n79滤波器、n77+n79同向双工器及一款低成本高功能的B3双工器；于2020年Q4发布B1+B3四工器。

  晶讯成立于2017年，由职业领武士卓尔先生（Dror Hurvits）在珠海创建，是国内仅有一家具有多项美国专利的高功能FBAR滤波器IDM制作商。晶讯现已取得9项美国创造专利授权，还有19项美国及我国专利申请正在批阅中；其专利池包括滤波器规划、谐振器结构、封装办法及出产制作等环节；在未来的18个月内，晶讯专利数量将增加一倍。5G年代，晶讯可为手机、模组、智能终端及小型基站客户供给世界级的高功能SC-FBAR滤波器、双工器和多工器。

  据悉，晶讯在天津用于研制及出产的先进制程中心，是全球仅有具有外延掺杂压电薄膜和电极薄膜才能的半导体工厂，具有超卓的量产Trimming才能。晶讯现在6寸晶圆产能可到达1500片/月，并将于2020年下半年扩展至5000片/月。

  值得注意的是，在国产代替大布景下，国频前端芯片厂商也迎来杰出的开展机遇。据晶讯介绍，继续的立异及知识产权堆集让晶讯突破了美国和日本公司关于BAW/FBAR滤波器的专利和技能独占，也取得了国内抢先的半导体公司、工业基金和上市公司的出资。

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