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并购优塾 智能汽车之车规功率半导体产业跟踪:东微半导VS斯达

  • 型号:LDX-K3050
  • 输出电压:0-30V 输出电流:0-50A
  • 来源:中外著名企业
  • 发布时间:2024-08-23 02:03:25
  • 新能源电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统燃油车“几大件”(发动机、变速箱和一部分底盘),
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  新能源电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统燃油车“几大件”(发动机、变速箱和一部分底盘),功率半导体成为重要增量。

  根据英飞凌测算,纯电和插电混动汽车半导体价值量834美元,438美元增量中,330美元来自于功率器件。

  目前主流的功率器件是IGBT、MOSEFT。IGBT相当于电力电子领域的“CPU”,也是新能源应用的心脏,这两个领域门槛相比来说较高,国产化率较低。

  上游——原材料包括:外延片、铜带、环氧树脂、陶瓷片等。其中,外延片生产较为复杂,流程可分为:多晶硅→单晶硅→淹没片→抛光片→外延片,用于晶圆制造。

  芯片企业有英飞凌、意法半导体、华润微、华虹半导体等,硅片厂商有日本SUMCO、沪硅产业等。

  中游——功率分立器设计/制造厂商,代表公司为:英飞凌、安森美、意法半导体、三菱电机和东芝等,国内代表公司为:斯达半导、东微半导、比亚迪半导体、新节能、杨杰科技等。

  国内功率半导体厂商主要是采用FABLESS模式,因此还涉及代工厂和封测厂,代工厂代表公司为:华虹半导体、广州粤芯、上海先进、东部高科等,封测厂代表公司为:天水华天、集佳科技等。

  下游——新能源车领域,流程为:功率半导体分立器→功率半导体模块→电控器→OEM整车厂,整车代表公司有比亚迪、理想、蔚来、特斯拉等。

  东微半导(江苏省,苏州市)——2022年前三季度,实现营业收入7.90亿元,同比+41.29%;实现归母净利润2亿元,同比115.62%。

  斯达半导(浙江省,嘉兴市)——2022年前三季度,实现营业收入18.74亿元,同比+56.60%;实现归母净利润5.90亿元,同比121.43%。

  功率器件是电子装置中电能转换与电路控制的核心,大多数都用在改变电压、频率、相位和直流交流转换等。常用的功率器件有DC/DC、逆变器、整流器(交流转直流)、变频器和稳压器等。

  功率半导体(又称为电力电子器件)是功率器件的核心,根据封装方式/集成程度不同,可细分为功率分立器、功率IC、功率模组,2021年占比预计在32%、14%、54%,大范围的应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制等领域,涵盖低、中、高各个功率层级。

  功率分立器件基本的产品是MOSFET、二级管、IGBT、晶闸管等,根据IHS数据,2020年结构占比是MOSFET(36%)>二级管(31%)>IGBT(27%)>晶闸管(3%)。

  其中,功率二极管、三极管以及晶闸管等分立器,在结构上都由简单的PN结组成,开关速度慢,常用于低频领域,且已经实现国产化。目前主流的功率器件是MOSFET、IGBT,向更高频、高压领域拓展,国产化率较低,是我们关注的重点。

  从结构来看,IGBT融合了BJT(Bipolar junction transistor,双极型三极管)和MOSFET的性能优势,结构为MOSFET+一个BJT。IGBT相比MOSFET,串联结构耐压更高,导通电阻低;能放大电流,但开关频率更低。

  IGBT和MOS两者均属于电压控制型开关器件,具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。

  从应用领域来看:MOSGET应用以高频为主,且价格低于IGBT,因此在新能源领域,主要使用在于高频中高压领域;IGBT以高压为主,在新能源领域主要使用在于电动车主控、风光储逆变器/变流器等高压中低频领域(<100KHz, 600-6500V)。

  答案:MOS和IGBT存在内部产品结构升级+材料升级趋势。我们分别来看:

  1)MOSFET——从1970年代发明至今经历了,平面型MOS(1970s)→沟槽型(1980s)→超结(1990s)→屏蔽栅(2000s)

  其中,超结MOS主要是针对高压大功率场景,耐压范围600-800V,兼具高耐压、低电阻、更低的导通损耗,因此在新能源领域充电桩、车载OBC、微型逆变器中有大量应用;屏蔽栅MOS主要是针对中低压(10v~300v)的环境,主要使用在在电动工具、家电、电源、新能源发电等中低压环境。

  此外,东微半导在超结MOS的基础上,开发了超级硅MOS,通过调整器件结构、优化制造工艺,提升开关速度(接近氮化镓功率器件水平),适用于高密度电源系统,如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器等领域。

  IGBT——目前IGBT市场公认采用英飞凌技术平台,结构演变至今经历了七次迭代,目前使用比较广泛的是第四代产品。

  每一代变动,都带来更高的功率密度:相同功率下,产品尺寸更小,功率密度从30kw/cm2,提升至250kw/cm2。这意味同样8寸晶圆中可以切割出更多的IGBT芯片。英飞凌新一代IGBT产品为第七代,基于新型微沟槽栅技术,可实现更高的器件可控性。英飞凌第七代产品于2022年开始大规模出货。

  近年来通过结构改良等手段,对硅基材料的物理性能进行突破的空间逐渐缩小,同时由于结构复杂化也导致了成本上升。在此背景下,SiC/GaN/Ga2O3等宽禁带材料,能在耐压和开关频率上获得更好的器件性能,成为功率器件未来发展的一个重要方向。

  以电压场景来分,0-300V区间内Si材料占据成本优势,600V以上的高压区间内SiC占据主要优势,300V-600V区间则是GaN材料的优势领域。

  SIC是车规主流的第三代半导体,GaN大多数都用在消费电子快充,Ga2O3属于第四代半导体暂未有商业化方向。

  单管的功率分立器件,向集成度更高的功率模块和功率IC演进,可以在一定程度上完成更可靠、高效率的性能,在高压大电流场景等场景应用广泛。以IGBT模块为例,其极限电压一般会比IGBT单管高1-2个等级。

  从2021年收入体量来看,斯达半导(17.07亿元)东微半导(7.82亿元)

  东微半导——成立于2008年,采用Fabless模式,自主设计芯片,主要由华虹代工。公司管理团队具有英飞凌、奇梦达、华润上华等工作经历,此外,华为哈勃投资参股4.94%。

  目前收入构成主要为:高压超级结、中低压屏蔽栅、超级硅(对标氮化镓)MOSFET,分别占比72.7%、26.3%和0.27%。

  此外,2021年起开始销售新产品Tri-gate器件结构的IGBT产品,TGBT产品应用在光伏逆变器、储能、充电桩等领域。并且,2021年已实现碳化硅功率器件的样品。

  从下游应用行业来看,2021年上半年,51.1%应用于工业及车规级产品,29.6%为消费类产品。其中,工业和车轨级产品可进一步细分为:工业以太网及数据通信产品37.4%(占总收入的19.1%)、新能源汽车充电桩31.4%(占总收入比重16.04%)、大功率电源18.5%(占总收入的9.4%)、逆变器8.7%(占总收入的4.46%)、电池保护板4.1%。

  斯达半导——成立于2005年,采用Fabless模式,早期立足于工控用功率半导体。2013年开始研发汽车级功率模块,初期主要是通过采购英飞凌芯片进行封装,目前基本实现全部的产品的芯片自产。

  目前,收入构成中,93.46%为IGBT模块,主要以1200V 产品为主(2018年占比70%以上),在 3300V、4500V 及以上模块产品型号数较少。

  此外,斯达半导在SIC功率模块上已经研发出21款产品,已经获得宇通定点,共计3.4亿元车规级SIC MOSFET订单,预计交货期是2022~2023年。

  从下游应用行业来看,工控及电源领域是主要收入来源,占比62.37%,新能源行业占比约33.48%。其中,新能源行业涉及新能源汽车驱动装置、太阳能逆变器和风机逆变器。

  对比来看,从收入构成来看,东微半导侧重MOSFET产品,斯达半导主打IGBT模块产品。

  对增长态势有所感知后,我们接着再将各家公司的收入和利润情况拆开,看新一季度数据。

  东微半导——2022年前三季度,实现营业收入7.90亿元,同比+41.29%;实现归母净利润2亿元,同比115.62%。

  1)增速贡献较大的是高压超级结MOS,2022Q3实现收入6.37亿元,占总营收的比重80%,主要使用在于微逆和储能逆变器;

  2)毛利率同比提升5.09pcts,主要受到下游高毛利的应用领域收入占比提升,光伏应用占比达到收入的20%,新能源车OBC占比达到收入的20%,充电桩和工业电源领域占比为15~20%。

  新业务方面,TGBT实现收入3239万元,同比增长19倍,目前上游产能仍然偏紧,该块业务随着华虹2023Q2新产能(3万片/月)的释放有望进一步加速。

  斯达半导——2022年前三季度,实现营业收入18.74亿元,同比+56.60%;实现归母净利润5.90亿元,同比121.43%。

  Q3利润增长来自于:毛利率同比提升6.09pcts,主要得益于高端IGBT产品涨价和产品结构变化。新能源行业收入占比从2022H1的47.37%逐步提升至51.44%。

  车规级功率模块,2022年Q1~Q3同比增长108.1%,市场占有率达到15.8%,除比亚迪外,排在国内品牌首位,并且800V SIC MOS已经上车量产。

  根据半年报,2022年上半年,其应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量,合计配套超过50万辆新能源汽车其中A级及以上车型超过20万辆,在用于车用空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。

  综合来看,2022Q3新能源相关业务景气度依然较高,两家公司新产品均有放量。

  两家可比公司2021年净利润现金含量较低,但由负转正,2021年供应链不畅,导致国内功率半导体企业迅速增加,毛利率及回款增加所致。

  斯达半导2021年资本支出较大,资金用于建设高压功率芯片及SiC芯片产线,走向 IDM+Fabless并行模式。

  从毛利率来看,斯达半导东微半导。斯达半导毛利率更高,还在于其新能源汽车领域IGBT模块毛利率较高。

  两者整体趋势相近,因为下游应用领域相近,从下游IGBT产品毛利率来看,新能源(约40%)工控及电源(约30%)家电(约20%)。

  东微半导2021年毛利率有明显提升,主要受到产品结构的影响。2021年后,应用在5G基站电源、通信电源、新能源汽车直流充电桩、工业电源等领域的产品占比提升。这些应用领域由于涉及长时间高电压、高电流的工作环境,对产品的耐用性和可靠性等要求比较高,因此毛利率相对较高。

  此外,从东微半导的细分产品来看,随着超级硅MOS产品的量产,未来毛利率存在逐步提升可能。

  斯达半导2021年开始毛利率提升,因为:1)新能源需求旺盛,同时毛利率较高;2)下游需求旺盛的同时,上游晶圆产能增长较慢,导致功率半导体模块普遍涨价。从扩产周期来看IGBT需要1~2年,此次扩产周期下国外厂商相对谨慎,根据中信证券的统计,2023年下半年预计产能释放较快。

  东微半导总资产周转率更快,主要受到固定资产影响。东微半导2021年末固定资产仅0.07亿元,因为采用Fabless模式,未采购机器设备和产线,且东微研发大楼采用租赁形式,不具有自有房产。

  根据富昌电子,2022年Q4,部分供应商低压MOSFET、高压MOSFET及肖特基二极管交期出现环比缩短,但IGBT交期仍保持高位。总的来看,低压MOSFET安森美与英飞凌交期环比缩短,高压MOSFET并未改善。

  以英飞凌为例,Q4英飞凌低压MOSFET交期环比缩短,目前为40-60周,军用-航空晶体管交期环比缩短,目前为14-45周,高压MOSFEST、IGBT、宽带隙MOSFET、数字晶体管交期环比变动不大,分别为50-54、39-50、42-52、12-52、12-52周。

  供给端受卫生事件/地缘冲突停产减产等扰动,IGBT芯片供应持续紧缺。英飞凌、意法半导体等厂商持续的长交货周期,为国产替代提供机遇。

  总体来看,少数高压MOSFET渠道价格持续上涨,多数MOSFET渠道价格微降,部分IGBT单管产品出现下滑。